光刻纪元:逆时工程师

第五章 28纳米的“拦路虎”

光刻纪元:逆时工程师 2013小小哥 2025-11-12 13:26:46 现代言情
2014年3月,中芯国际向上海微电子提出需求,希望能尽快拿到可用于28纳米芯片生产的DUV光刻机。

当时,上海微电子的DUV光刻机还只能稳定用于40纳米制程,28纳米面临的最大难题是“套刻精度”——即多次曝光后,图形之间的对齐误差要控制在5纳米以内。

技术组连续加班了一个月,套刻精度始终在8纳米左右徘徊,达不到要求。

陈铭愁得满嘴起泡:“再这样下去,中芯国际就要放弃我们,转而向ASML采购了。”

张硕看着实验数据,陷入了沉思。

前世,他记得ASML在28纳米制程上,采用了“激光干涉定位”技术来提高套刻精度。

但2014年,国内还没有成熟的激光干涉仪,只能用传统的光学定位。

“陈工,我们能不能用‘双频激光干涉’的思路,改进现有的定位系统?”

张硕突然开口,“虽然我们没有专用的干涉仪,但可以用两台不同频率的激光器,通过相位差来计算定位误差,再实时补偿。”

这个想法让陈铭眼前一亮,但组里的老工程师却摇头:“理论上可行,但精度控制太难了,而且需要重新设计电路和软件。”

张硕却坚定地说:“我来试试,给我一周时间。”

接下来的七天,张硕泡在实验室里,画电路图、写控制软件、调试激光器。

他甚至自己动手,用实验室里的废旧零件组装了一个简易的相位差检测装置。

第七天晚上,当他启动改进后的定位系统,屏幕上显示的套刻精度稳定在了4.8纳米——达到了28纳米制程的要求!

“成了!

我们成了!”

实验室里爆发出欢呼声。

陈铭拍着张硕的肩膀,眼眶通红:“张硕,你真是我们的救星!”

2014年6月,上海微电子的28纳米DUV光刻机顺利交付中芯国际,消息一出,立刻引起了国际半导体行业的关注。

ASML中国区总裁专程来到上海,名义上是“参观交流”,实际上是来打探情况。

在参观实验室时,ASML总裁看到了张硕改进的定位系统,脸色变得凝重。

“陈先生,你们的技术很有想法,但我必须提醒你们,”他语气带着威胁,“EUV光刻机的核心技术专利都在我们手里,就算你们能做出DUV,也永远无法突破7纳米制程。

而且,我们己经向美国申请,限制向中国出口与EUV相关的任何技术。”

陈铭气得脸色发白,张硕却平静地说:“先生,技术的进步从来不是靠垄断,而是靠创新。

今天我们能突破28纳米,明天就能突破14纳米、7纳米。

至于EUV,我们迟早会做出来的。”

ASML总裁冷笑一声,转身离开。

他走后,陈铭担心地说:“张硕,ASML肯定会给我们使绊子,以后我们的零件采购、技术交流都会更难。”

张硕点头:“我知道,但这也是好事——它能让我们更早地意识到,必须走自主研发的道路,不能依赖任何人。”

从那天起,张硕在心里制定了一个更长远的计划:不仅要优化DUV技术,还要开始布局EUV的核心技术,尤其是光源和光学系统——这是EUV光刻机最难突破的两个部分。